臺積電發(fā)表4、3納米制程進(jìn)展/3DFabric方案

  ICC訊 日前臺積公司首度舉辦線上技術(shù)論壇及開放創(chuàng)新平臺(Open Innovation Platform, OIP)生態(tài)系統(tǒng)論壇，會中展示先進(jìn)邏輯技術(shù)、特殊技術(shù)、三維積體電路(3DIC)系統(tǒng)整合解決方案、以及其設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)生態(tài)系統(tǒng)的最新發(fā)展。新冠肺炎疫情期間，臺積公司采用線上論壇，與客戶及生態(tài)系統(tǒng)伙伴們維持連系，共計(jì)超過 5,000位注冊參與者。

日前臺積公司首度舉辦線上技術(shù)論壇及開放創(chuàng)新平臺生態(tài)系統(tǒng)論壇圖片來源：臺積電

  臺積公司總裁魏哲家表示，全球社會面臨嚴(yán)峻考驗(yàn)的時(shí)刻，人們仰賴科技來彼此溝通、互相打氣，客戶的創(chuàng)新設(shè)計(jì)讓整個(gè)世界變得更加智慧化、更具連結(jié)性，臺積公司致力于以最先進(jìn)的邏輯技術(shù)、連結(jié)實(shí)體與數(shù)位世界的特殊制程組合、先進(jìn)封裝技術(shù)、以及完備的系統(tǒng)整合解決方案來協(xié)助客戶釋放創(chuàng)新。

  論壇焦點(diǎn)包括：

  N5技術(shù)今年已進(jìn)入量產(chǎn)，隨著產(chǎn)能持續(xù)拉升，良率提升的速度亦較前一世代快速。相較于前一世代的N7技術(shù)，N5速度增快15%、功耗降低30%、邏輯密度增加達(dá)80%。奠基于N5技術(shù)，臺積公司預(yù)計(jì)于2021年量產(chǎn)加強(qiáng)版的N5P制程，速度可再增快 5%，功耗再降低10%。

  此外，臺積公司揭示了5納米家族的最新成員——N4制程，N4進(jìn)一步提升效能、功耗、以及密度來滿足多樣化產(chǎn)品的需求，除了減少光罩層來簡化制程，N4可借助5納米的設(shè)計(jì)生態(tài)系統(tǒng)，順利從N5升級，并預(yù)計(jì)于2021年第四季開始試產(chǎn)，2022年進(jìn)入量產(chǎn)。

  展望下一世代技術(shù)，臺積公司N3制程開發(fā)進(jìn)度符合預(yù)期，將成為全球先進(jìn)的邏輯技術(shù)。相較于N5技術(shù)，N3速度增快15%，功耗降低達(dá)30%，邏輯密度增加達(dá)70%。隨著半導(dǎo)體架構(gòu)的創(chuàng)新，臺積公司從5納米往前推進(jìn)了一個(gè)世代的制程。

  此外，N12e制程已進(jìn)入試產(chǎn)階段，能夠提供強(qiáng)大的運(yùn)算效能與優(yōu)異的功耗效 率，支援人工智慧邊緣運(yùn)算應(yīng)用。N12e將臺積公司的FinFET電晶體技術(shù)導(dǎo)入邊緣裝置，藉由強(qiáng)化的超低漏電裝置與靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體。相較于前一世代的22ULL技術(shù)，N12e的邏輯密度增加超過1.75倍，效能提升約1.5倍，功耗減少一半。做為12FFC+制程的加強(qiáng)版，N12e合應(yīng)用于支援人工智慧的物聯(lián)網(wǎng)裝置，提供強(qiáng)大的功能執(zhí)行力，例如，理解自然語言或影像分類，同時(shí)提升功耗效率。N12e也能夠支援用電池供電的強(qiáng)大人工智慧物聯(lián)網(wǎng)裝置。

  臺積公司亦推出3DFabric，整合三維積體電路系統(tǒng)解決方案，透過穩(wěn)固的晶片互連打造出良好的系統(tǒng)。藉由不同的選項(xiàng)進(jìn)行前段晶片堆疊與后段封裝，3DFabric協(xié)助客戶將多個(gè)邏輯晶片連結(jié)在一起，并串聯(lián)高頻寬記憶體(HBM)，或異質(zhì)小晶片，例如類比、輸入/輸出、以及射頻模組。3DFabric能夠結(jié)合后段3D與前段3D技術(shù)的解決方案，提供系統(tǒng)整合中的乘數(shù)效應(yīng)。同時(shí)，3DFabric能與電晶體微縮互補(bǔ)，持續(xù)提升系統(tǒng)效能與功能性，縮小尺寸外觀，并且加快 產(chǎn)品上市時(shí)程。3DFabric包含臺積公司的系統(tǒng)整合晶片(TSMC-SoICTM)技術(shù)、CoWoS技術(shù)、以及整合型扇出(InFO)技術(shù)。