合作征集 | 為科技成果尋求合作機遇 提高產(chǎn)業(yè)核心競爭力

  ICC訊 成果轉(zhuǎn)化是科技創(chuàng)新關(guān)鍵，推進科技成果轉(zhuǎn)化,是提升產(chǎn)業(yè)能級與核心競爭力的關(guān)鍵。訊石與成都電子科大科技園深入合作，走進電子科技大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院，立足于企業(yè)需求，充分發(fā)揮成果轉(zhuǎn)化產(chǎn)、學(xué)、研、用各方的作用，展開一對多精準對接活動。

  本次活動圍繞電子科技大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院，推出體聲波濾波器、磁場傳感器、氣體傳感器、鈮酸鋰薄膜等成果，期待您的垂詢，讓科技成果真正在企業(yè)轉(zhuǎn)化落地、開花結(jié)果。咨詢請聯(lián)系：凌先生 18664318242（微信同號）

項目詳情

01 硅基鈮酸鋰薄膜集成光電子器件

知識產(chǎn)權(quán)授及獲獎情況：專利申請 1 項，授權(quán) 1 項

成果主要應(yīng)用行業(yè)：新材料

成果簡介：采用硅基鈮酸鋰薄膜晶圓，通過表面圖形化工藝，實現(xiàn)硅基鈮酸鋰薄膜光學(xué)器件的制 備。該技術(shù)路線可實現(xiàn)鈮酸鋰光學(xué)器件的小型化，為未來鈮酸鋰與硅基光學(xué)器件的全片 上集成打好基礎(chǔ)，可實現(xiàn)鈮酸鋰調(diào)制器與激光器、隔離器等器件集成，可廣泛應(yīng)用與軍 用通信、星間星地通訊、相控陣雷達、高速骨干網(wǎng)等軍用民用領(lǐng)域。

4 英寸單晶 LN 薄膜晶圓材料

4 英寸單晶薄膜 BAW 器件晶圓

成果形式：樣品

成果所處階段：實驗室

合作意向：合作研發(fā)

02 各向異性磁阻開關(guān)芯片及磁場傳感器

知識產(chǎn)權(quán)授及獲獎情況：四川省科技進步三等獎(2016)

成果主要應(yīng)用行業(yè)：電子 、新能源與節(jié)能、自動化

成果簡介：采用敏感薄膜與集成電路芯片單片集成的方法，通過電路對采樣時間的調(diào)控，實現(xiàn) 了超低功耗的磁阻接近開關(guān)芯片。通過對敏感單元尺寸的調(diào)控，獲得高靈敏、高線性度 的磁場傳感器芯片。 與國外同類產(chǎn)品(如 Honeywell SM353LT(開關(guān)芯片)，HMC1501(磁場傳感器芯片)) 主要技術(shù)指標相當(dāng)，可以實現(xiàn)國產(chǎn)替換。

SOT23 封裝的開關(guān)芯片及輸出特性

QFN 封裝的磁場傳感器芯片及輸出特性

成果形式：樣品

成果所處階段：樣品樣機(產(chǎn)品)

合作意向：合作研發(fā)、技術(shù)融資

03 基于物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的氣體傳感器

成果主要應(yīng)用行業(yè)：電子

知識產(chǎn)權(quán)授及獲獎情況：授權(quán)專利 5 項

成果簡介：基于國家重點實驗室制備的熱釋電紅外敏感材料，采用 TO5 標準封裝，開發(fā)具備探測率高，響應(yīng)快，溫度補償特性的熱釋電紅外核心器件?；诓煌瑲怏w分子激發(fā)不同分子振動方式吸收不同紅外輻射波長的原理，設(shè)計非分光氣體傳感器(NDIR)。其主要組成為光源、氣室和熱釋電探測器，通過雙通道設(shè)計，封裝不同濾光片，根據(jù)比爾朗伯定律通過對比參考通道(REF)的信號比值來計算出檢測氣體的濃度。該氣體傳感器采用Φ20*18mm 標準外形尺寸和管腳封裝，集成了自主知識產(chǎn)權(quán)的熱釋電紅外核心器件、通用型紅外光源和經(jīng)過優(yōu)化設(shè)計的氣室結(jié)構(gòu)和處理電路。設(shè)計對信號進行綜合處理的集成控制盒，該控制盒由信號采集與處理電路模塊、物聯(lián)網(wǎng)通信模塊、外顯示屏和殼體構(gòu)成。采用傳感器和控制盒的分離式設(shè)計，添加和更新(含遠程)底層采集和處理軟件的方式，實現(xiàn)對氣體傳感信號的采集和傳輸。

成果形式：樣品

成果所處階段：樣品樣機(產(chǎn)品)

合作意向：合作推廣

04 新一代高頻寬帶薄膜體聲波濾波器技術(shù)

成果主要應(yīng)用行業(yè)：通信

知識產(chǎn)權(quán)授及獲獎情況：授權(quán)中國發(fā)明專利 7 項

成果簡介：薄膜體聲波(BAW)濾波器具有插損低、體積小、易于集成的優(yōu)點，是射頻模塊微系統(tǒng)化必不可少的無源器件。隨著射頻系統(tǒng)向高頻、寬帶的技術(shù)方向發(fā)展，BAW 濾波器也必須具備更高的工作頻率和更大的工作帶寬。但現(xiàn)有 BAW 濾波器均以多晶 AlN 壓電薄膜材料為基礎(chǔ)，導(dǎo)致其在頻率和帶寬兩方面均面臨著難以克服的瓶頸問題。一方面，要提高 BAW 器件的頻率就必須降低 AlN 薄膜的厚度，例如 Ku 波段的工作頻率要求 AlN 的厚度 降低到 300nm 以內(nèi)，但 AlN 薄膜采用生長法制備，界面過渡層的存在導(dǎo)致超薄的 AlN 薄 膜難以維持良好的壓電性能;另一方面，要獲得更大的帶寬就必須制備更高機電耦合系數(shù)(kt2 )的壓電薄膜，盡管通過 Sc 摻雜的方式能夠?qū)?AlN 的 kt2從 6.5%提升至 15%左右， 但仍然無法滿足寬帶射頻系統(tǒng) 10%以上分數(shù)帶寬的要求，且摻雜同樣會惡化 AlN 薄膜的 性能從而導(dǎo)致器件損耗的大幅增加。

本成果針對現(xiàn)有 AlN 基 BAW 濾波器在頻率和帶寬兩方面的問題，建立了單晶鈮酸鋰(LN)薄膜 BAW 器件的技術(shù)路徑。攻克了微聲器件多物理場耦合仿真、低內(nèi)應(yīng)力單晶薄膜離子束剝離、低損傷單晶薄膜表面平坦化、大面積晶圓異質(zhì)鍵合、晶圓級單晶薄膜厚度控制等關(guān)鍵技術(shù)，研制出高機電耦合系數(shù)單晶 LN 壓電薄膜材料和寬帶高頻單晶薄膜BAW 濾波器器件，單晶壓電薄膜材料機電耦合系數(shù)達到 19.82%，單晶薄膜 FBAR 濾波器帶 寬達到 10%，從根本上突破了現(xiàn)有技術(shù)的瓶頸。

成果的創(chuàng)新性體現(xiàn)在兩個方面。一是切向可控、可轉(zhuǎn)移的 LN 單晶薄膜材料技術(shù)?；? 于單晶壓電薄膜振動模型提出了切向選取方法，建立了高溫低束流的高能離子注入方法， 解決了特殊切向單晶 LN 薄膜注入過程易裂片、膜層剝離不完整的難題，實現(xiàn)了特殊切向 單晶 LN 薄膜的制備。二是含器件結(jié)構(gòu)的單晶薄膜異質(zhì)集成方法。提出了“離子刻蝕+CMP” 的薄膜表面處理方法，發(fā)明了含器件結(jié)構(gòu)的非平坦表面異質(zhì)鍵合技術(shù)，解決了多層薄膜 異質(zhì)集成中內(nèi)應(yīng)力大、易脫落的難題，實現(xiàn)了含薄膜體聲波濾波器結(jié)構(gòu)的 4 英寸晶圓制 備。圍繞以上創(chuàng)新點以布局發(fā)明專利 30 余項，授權(quán) 7 項，在薄膜 BAW 濾波器領(lǐng)域擺脫了 美國的專利封鎖和技術(shù)限制，關(guān)鍵技術(shù)自主可控，核心技術(shù)具有自主知識產(chǎn)權(quán)。

該成果走出了一條新的技術(shù)路線，總體技術(shù)達到國際先進水平，其中含器件結(jié)構(gòu)的單晶薄膜異質(zhì)集成方法，屬于國際首創(chuàng)。項目成果已在高性能寬帶濾波器中獲得應(yīng)用，具有顯著的經(jīng)濟和社會效益，在相控陣雷達、電子對抗、綜合數(shù)據(jù)鏈以及 5G 通信等軍民領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景。

 

成果形式：樣品

成果所處階段：產(chǎn)業(yè)化

合作意向：技術(shù)融資