ICC訊 隨著5G商用落地,工業(yè)4.0的持續(xù)推進,功率半導體作為碳中和的重要技術(shù)受到廣泛關(guān)注。對比目前的Si功率器件,SiC和GaN等功率半導體具備處理高電壓、大電流的能力,且體積更小,耗電量也大幅降低。
盡管面臨著難以加工的課題,但進入21世紀后,功率半導體相關(guān)產(chǎn)品不斷面世,各國紛紛展示出空前的重視。
根據(jù)日本運營知識產(chǎn)權(quán)庫的Astamuse發(fā)布的數(shù)據(jù),在2000年至2017年期間,全球37個國家共申請了4.7428萬件功率半導體相關(guān)技術(shù)專利。按國家劃分,美國的相關(guān)專利達1.3973萬件位于第一位,其次是日本的1.2872萬件,中國的8403件。
從企業(yè)專利數(shù)量來看,日本的三菱電機排名第一,為1304件,其次是德國英飛凌(983件),瑞薩電子(802件),東芝(456件)。富士電機(409件)排在第六,日立制作所(398件)為第七名。
美國公司中,英特爾以423件發(fā)明專利位居第五位,韓國的三星SDI則以280件位居第十。
日經(jīng)認為,盡管日本在世界半導體市場上的優(yōu)勢地位已然暗淡,但在功率半導體領(lǐng)域其仍占有一席之地。另外,中國公司雖沒能躋身榜單前幾名,但觀察全球,各國近期的專利申請數(shù)的增長勢頭已經(jīng)超過了美國,今后有可能會崛起。
新聞來源:集微網(wǎng)