ICCSZ訊(編輯 summer) 前不久,備受業(yè)界關注的2016 Intel開發(fā)者論壇(IDF)上,Intel宣布,硅光電子100G收發(fā)器正式投入商用,并已批量出貨,此消息一出,給行業(yè)內帶來了不小的沖擊。關于硅光子的技術的發(fā)展已經有多年的歷史了,如今的討論度更是火熱不已。
一直致力于成為硅光子器件與集成技術的開創(chuàng)者與領導者的SiFotonics Technologies Co., Ltd.(以下簡稱“SiFotonics”),在CIOE 2016上打出了“硅光,已至”的口號,并展示了25G Ge/Si APD TO-Type ROSA及100G ICR 模塊等硅光產品的最新進展。前去SiFotonics展臺參觀的人絡繹不絕。在這期間,訊石也對SiFotonics CEO潘棟博士進行了專訪,了解公司硅光技術的發(fā)展動態(tài)。
(SiFotonics團隊:右二為CEO潘棟博士)
致力硅光研發(fā) 全面進軍市場時機成熟
SiFotonics成立于2006年底,目前投資額近5000萬美元,公司在波士頓、北京、上海分別設立了研發(fā)中心,現有員工約100余人。核心技術團隊匯集了來自MIT、清華大學、復旦大學的多名業(yè)界精英,投身于硅基光電產品前沿技術的開發(fā)與應用。
去年年底,SiFotonics在硅光領域中取得了決定性的突破:SiFotonics研發(fā)的正面入射型25G高速鍺硅雪崩二極管 (APD), 在1310nm靈敏度達到了-22.5dBm (BER=1E-12), 為所有探測器件中的最高性能,這是硅光有源芯片里程碑式的進展:單個器件的性能超越傳統材料。
據潘總介紹,“SiFotonics進入硅光領域比較早,起初接觸到硅光時,感覺到硅光是長期而且有發(fā)展前景的,一開始先把鍺硅器件做好,然后再慢慢走向集成。如今經過近十年的努力和積累、數代產品的更迭,SiFotonics的鍺硅PD/APD芯片已在性能、量產能力、可靠性等方面得到足夠的市場檢驗,目前各類產品已累計出貨近100萬顆,并開始推出硅光集成芯片如ICR。”
(SiFotonics展臺)
技術創(chuàng)新 提供高性價比光電器件
硅光子技術是基于硅材料,利用現有CMOS工藝進行光器件的開發(fā)和集成的新一代技術,不僅在光通信,數據中心,在超級計算以及生物、國防、AR/VR技術等許多領域都將扮演極其關鍵的角色。
據了解,硅光子在數據中心和接入網都有著廣泛的應用,一旦應用市場打開,需求量跟上,價格優(yōu)勢便會顯示出來。多年來SiFotonics專注于CMOS工藝的硅基光電器件及光電集成芯片的設計與開發(fā),通過技術創(chuàng)新為客戶提供高性價比的光電產品,可廣泛應用于傳統光通信市場、數據中心、FTTx、HDMI遠傳等帶寬需求量快速增長的市場。潘總認為,“硅光是一種顛覆性的技術。 大量集成芯片的出現可以改變現有的產業(yè)結構 ,從市場的切入還有成本的優(yōu)勢上面,都顯示了非常強大的競爭力。”而對于如何促進硅光發(fā)展,潘總認為要發(fā)展應該多與業(yè)界交流, 不能盲目跟從,找到一個合適自己的切入點,然后再深深扎進去才是最好的選擇。
邁向成熟 走出實驗室
和多年以前不同,從前更多的企業(yè)都在觀望,而現在越來越多的企業(yè)、機構開始進入硅光領域,許多研究所也在花費心血進行研究。對此,潘總認為,從前硅光技術的產品化并不好,一直都只是在實驗室當中,但現在硅光技術已經在各個方面開始成熟了,很多硅光產品在市場上也開始出現,大規(guī)模商用已近在眼前。
來自Technavio分析師的最新預測顯示,從2016年到2020年間,全球硅光子市場的年復合增長率(CAGR)將超過48%,其中通信應用占整體市場95%。Technavio認為,硅光子市場增長的主要因素有四個:對更高網絡帶寬的需求;降低40Gbps以上速率的傳輸成本;來自公共資金的巨額投資;硅光子具有的能提升能源效率的特性。
目前在硅光子領域雖然涌現出眾多公司,但實際上大部分公司都處在研究階段。而SiFotonics已實現鍺硅光電探測器(Ge/Si PIN)、鍺硅雪崩光電探測器(Ge/Si APD)等產品的量產化,現已向市場全面推出2.5G/10G/25G PIN/APD芯片及其陣列,覆蓋波長范圍850nm~1577nm。目前公司的硅光產線也已完成硅光子集成技術的相關工藝調試,并成功試產高性能100G集成相干接收/發(fā)射芯片(ICR/ICT)。不久,SiFotonics將推出面向數據中心應用的100G集成收發(fā)芯片。
新聞來源:訊石光通訊網