ICC訊 近日,在2022年歐洲光通訊會議(ECOC 2022)上,IDLab(一家根特大學和安特衛(wèi)普大學的imec研究小組)研究人員和諾基亞貝爾實驗室展示了首個兼容50 Gbit/s NRZ和100 Gbit/s PAM4調(diào)制的上行線性突發(fā)跨阻放大器(TIA)芯片。該芯片使光線路終端(OLT)可以應對上行數(shù)據(jù)包的信號強度變化和質(zhì)量下降,這種影響在下一代無源光網(wǎng)絡運營將更加嚴重。研究人員認為,這款新型TIA芯片對于實現(xiàn)下一代靈活PON部署(尤其是100G PON)在技術和經(jīng)濟上的可行性至關重要。
無源光網(wǎng)絡(PON)技術為住宅和商業(yè)用戶帶來了高速寬帶,并支持5G移前傳/回傳服務。
PON網(wǎng)絡是一種樹狀網(wǎng)絡拓撲,使用一根通用光纖連接一個光線路終端(OLT)至運營商中心機房(CO)以服務多個用戶。從而產(chǎn)生了一個具有成本效應的部署場景,但它也會影響數(shù)據(jù)包在網(wǎng)絡中的傳輸方式,即下行流量是網(wǎng)絡連續(xù)發(fā)送,但上行流量是突然傳輸?shù)?在分配的時間段內(nèi),防止沖突)。
隨著10G PON訂閱量如火箭般攀升以及首個商用25G PON解決方案的面世,PON技術演進正在加速。不過,在下一代(50G和100G)PON商用之前,還有一些挑戰(zhàn)需要解決,尤其是在上游方向。
快速動態(tài)優(yōu)化上行數(shù)據(jù)包的信號強度
上行數(shù)據(jù)包進入OLT接收機會呈現(xiàn)一個大規(guī)模動態(tài)的光功率范圍,這是由于光學分布式網(wǎng)絡不同鏈路的損耗和光網(wǎng)絡終端(ONT)發(fā)射器發(fā)射功率的不同所導致,而OLT與其連接的ONT之間的距離同樣是一個決定因素。
根特大學和安特衛(wèi)普大學imec研究小組IDLab模擬/混合信號IC設計高級研究員Gertjan Coudyzer表示:“下一代PON高速傳輸加劇了這些影響,確保所有接收的OLT數(shù)據(jù)包具有大致相同的信號強度將是至關重要,而這必須以最小的開銷完成,即不超過幾十納秒。我們的新型芯片正是做到了這一點,它使我們最大限度地利用每個數(shù)據(jù)包和整個網(wǎng)絡,最大限度地提高其速度、覆蓋范圍和吞吐量?!?
展示世界首個上行線性突發(fā)模式TIA芯片,兼容 50 Gbit/s NRZ和100 Gbit/s PAM-4調(diào)制
Gertjan Coudyzer表示:“我們驗證了芯片的線性突發(fā)模式運作,線性不僅影響信號均衡,還為未來的PON PAM-4調(diào)制格式鋪平了道路,它相比于NRZ可將比特率擴大一倍。這是推動未來全球大規(guī)模100G PON部署的第一個突破。”
IDLab高速收發(fā)器項目經(jīng)理Peter Ossieur表示:“鋪設光纖網(wǎng)絡是一項巨大的投資。一旦投入使用,運營商希望至少在幾十年內(nèi)保持其網(wǎng)絡不受影響。這款芯片也使運營商網(wǎng)絡可為未來的升級做好準備,在需要的情況下支持更高的帶寬。展望未來,我們期待ITU-T接手這項發(fā)展成果,將其納入標準化制定工作?!?
諾基亞貝爾實驗室光學系統(tǒng)和器件實驗室主管Tod Sizer表示:“新型突發(fā)模式跨阻放大器芯片的出現(xiàn)得益于與imec長期卓有成效的合作,也再次確認了諾基亞在高速無源光網(wǎng)絡領域的技術領先地位。這款新型芯片的出現(xiàn)是及時的,因為國際電聯(lián)G.9804正在定義50G上行PON目標。由于其線性,TIA芯片還支持100G flexrate PON使用更高階調(diào)制方式?!?
據(jù)了解,該款TIA芯片采用0.13 μm鍺硅(SiGe)工藝制備,具有2.5V電流下功耗為275mW(平均)??傮w趨穩(wěn)時間遠低于150 ns,滿足典型的PON目標前置時間。
終端用戶和中心機房不斷擴大的距離
Peter Ossieur表示:“未來的挑戰(zhàn)將與終端用戶和中心機房之間日益增長的距離密切相關——因為電信運營商試圖將客戶基礎擴大到更多的農(nóng)村地區(qū)。因此,從相同的OLT靈活地為不同的客戶提供不同的PON口味的策略將繼續(xù)獲得動力,這需要新的數(shù)字信號處理方法,光接收器的更新,以及日益線性的電路的發(fā)展。這些正是我們研究議程上排名靠前的主題;我們繼續(xù)歡迎合作伙伴對這些問題的投入和參與”
這項開發(fā)工作由VLAIO project SPIC (HBC.2020.2197)支持